“你这知识储量惊人啊！那这个和芯片的关系怎么样的？”周老问道。
“首先晶圆?：晶圆是制造半导体芯片的基础材料，通常由高纯度的单晶硅制成，形状为圆盘状，表面经过特殊处理以便于后续的电路加工。晶圆本身没有电气功能，主要是用于承载和支持芯片的制造过程。?芯片?：芯片是从晶圆上切割下来并封装的半导体器件，包含了特定的电路和功能，是最终用于电子设备中的组件。每个芯片都是一个独立的电子元件，通常需要进行封装以供使用。
然后就是晶圆的制造?：高纯度的多晶硅经过熔化、掺入晶种、拉出单晶硅棒、研磨、抛光、切片等步骤，最终形成晶圆。晶圆是制造半导体芯片的初始材料。?芯片的制造?：在晶圆上通过一系列工艺步骤（如光刻、刻蚀、掺杂等），形成许多功能的电子电路与元件。完成所有制造工艺后，晶圆被切割成小块，每块小块就是一个芯片”俞章平说道。
“嗯，那这些里面，哪些是我们被老外卡脖子的地方？”周老问道。
“我国芯片产业在多个方面存在“卡脖子”问题?，主要包括以下几个方面：?高端芯片技术?：我国在高端芯片领域，特别是用于汽车、人工智能、云计算等领域的“大脑”级芯片，自给率较低。例如，车规级芯片和存储芯片的自给率不足10%，这意味着一旦国外供应商停止供应，相关行业将面临严重困境?。
光刻机技术?：光刻机是芯片制造中的关键设备，荷兰的ASmL公司在这一领域几乎处于垄断地位。目前这是空白的！
芯片设计和架构?：尽管国内有一些优秀的设计团队，但在算法优化、架构创新以及专利布局等方面与全球顶尖水平仍有差距。国内采用的自主架构产品在生态建设和市场认可度上还有待提升?。
材料和设备?：芯片生产需要高纯度化学材料和特殊材料，我国在这些领域的生产能力较弱，导致关键材料依赖进口。此外，封装工艺也高度依赖于国外先进设备和技术?。
国际市场和技术封锁?：美国对我国的半导体产业实施了多轮打压和封锁，限制设备出口和禁止技术转让，进一步加剧了我国在高端芯片技术上的困境?。”俞章平说道。
（我国在2019年自主的才有了极紫外光（EUV）光刻技术，但是技术上存在较大差距，大多数国产芯片仍停留在28纳米及以下工艺水平，无法满足高性能计算需求?）
“最难解决的是哪方面？”田广利问道。
“主要是光刻机技术，其他都好解决！”俞章平说道。
“光刻机技术被那个荷兰的阿斯麦公司给垄断了，那你有什么好主意吗？”田广利问道。
“我计划在明年或后年通过一些渠道购买一些光刻机，但是这只能解决目前的一小部分困难，以后他们发掘以后就难了！以后还是得自己努力研发才行！哪怕投入的时间和精力无法估计都要去研发！这是必须之路！”俞章平说道。
“嗯，任重道远啊！以后就看你们的了！”周老说道。
“章平，你再给我说说关于晶圆和芯片的事情，让我多了解了解！”田广利说道。
“行，那我就说说晶圆的一些重要参数：载流子浓度：多数半导体器件为少数载流子器件，如硅太阳能电池。本文后续提到的载流子参数均为少数载流子参数。半导体在热平衡状态下，空穴和电子浓度相等，此时为稳态；当受到外部激励（光、电、热等能量激励）时，半导体处于非平衡状态，电子和空穴均增加，形成过剩载流子。载流子寿命（lifetime），是指过剩载流子平均存在时间，载流子浓度满足指数衰减规律。
载流子寿命：载流子寿命根据载流子复合类型可分为辐射复合寿命、俄歇复合寿命以及Shockley-Read-hal（SRh）复合寿命。载流子寿命是反映材料和器件缺陷浓度的重要参数，也是衡量器件开关速度、电流增益、电压等特性的重要指标，同时对半导体激光器、光电探测器以及太阳能电池等光电子器件的电光和光电转化效率起到重要作用。
表面复合速率：载流子既在材料体内发生复合也在表面发生复合。表面复合寿命或表面复合速率（Surface rebination velocity，s）是描述载流子在表面复合快慢的物理量。表面复合寿命越大说明表面复合速率越低，反之，表面复合速率越高。表面粗糙度、表面悬挂键等表面物理性质和状态是影响表面复合速率的关键。表面复合速率是表征材料的表面质量的重要性能参数。
有效寿命：载流子有效寿命是将体寿命和表面复合寿命综合的参数，是特定样件载流子整体寿命的表征。目前大多数检测技术检测的载流子寿命为载流子有效寿命，无法将体寿命和表面复合速率分离，因此很难逐一分析表面处理工艺、体内缺陷和掺杂等过程对硅晶圆和太阳能电池性能的影响。
扩散系数：扩散系数（diffusion coefficient，d）是表征在单位时间单位面积上，载流子通过界面快慢的物理量。扩散系数和载流子寿命共同决定载流子扩散长度（diffusion length），扩散长度是评价材料性能的典型参数，载流子扩散长度越长材料质量越好；对于太阳能电池来说，载流子扩散长度越长载流子分离和收集效率越好、光电转化效率越高。
掺杂：掺杂是形成功能半导体的必要环节，掺杂浓度对电阻率和载流子输运参数有着重要影响。本征半导体，即不掺杂半导体，常温时电阻率非常高，随着掺杂浓度增加，电阻率降低，载流子寿命和扩散长度逐渐降低。”俞章平侃侃而谈。
“哦，原来如此！那你再说说芯片的主要参数有哪些!”田广利按了下录音笔说道。
“田叔你这还真是好学啊！”俞章平打趣道。
“快说，快说！”田广利又按下录音笔说道。
“好勒！?主频?：主频是cpU的时钟频率，表示cpU的工作频率。主频越高，cpU的速度通常越快。主频=外频x倍频?。
外频?：外频是cpU的外部时钟频率，表示cpU与主板连接的速度。外频越高，主板的运行速度越快?。
倍频?：倍频是指cpU主频与外频之间的相对比例关系。倍频越高，cpU的频率也越高，但在相同外频下，高倍频的cpU实际运算速度可能会受到系统数据传输速度的限制?。
前端总线（FSb）?：前端总线是将cpU连接到北桥芯片的总线，影响cpU与内存之间的数据交换速度。总线频率越高，数据传输速度越快?。
缓存（cache）?：缓存是存储访问最频繁的数据和指令的临时存储区域，分为一级缓存（L1）、二级缓存（L2）和三级缓存（L3）。缓存容量越大，访问速度越快?。
制程工艺?：制程工艺是指芯片制造过程中的技术水平，通常以纳米（nm）为单位表示。制程工艺越先进，芯片的性能、功耗和成本等方面会有所不同?。
架构?：芯片架构是指芯片的设计结构，常见的有ARm和x86等。不同架构适用于不同的应用场景，例如ARm架构适用于移动设备，而x86架构适用于个人计算机和服务器?。”俞章平说道。
“你这说的芯片的参数是吧！我想知道芯片制造过程中的参数有哪些！”田广利说道。
“好好好！我这就说！主要有以下九大方面。
制程工艺：制程工艺是指制造芯片时所用工艺的节点大小，如7nm和5nm，代表晶体管的物理尺度。节点越小，集成度越高，性能越强，能效比越高。例如，5nm工艺相比于7nm工艺能够带来更高的晶体管密度，提升处理器的速度和效率，同时减少单个晶体管的功耗?。
分辨率：分辨率是指光刻机能够刻写到芯片上的最小特征尺寸。分辨率越高，光刻机能够制造的器件越小，精度越高。高分辨率的光刻机能够制造更精细的芯片结构，提高芯片的性能和可靠性?。
感光剂灵敏度：感光剂灵敏度表示感光剂对光的敏感度和响应速度。感光剂灵敏度越高，光刻机的刻写速度越快，生产效率也更高。高灵敏度的感光剂可以缩短制造周期，提高生产效率?。
字段尺寸：字段尺寸是指光刻机一次可刻写的区域大小。字段尺寸越大，光刻机的生产效率越高，能够同时处理更多的芯片。大字段尺寸的光刻机可以减少切换次数，提高整体生产效率?。
对准精度：对准精度表示光刻机在多层芯片制造过程中，不同层之间对位的精确度。对准精度越高，不同层之间的对位误差越小，芯片质量越高。高对准精度的光刻机可以确保多层结构的精确对齐，减少缺陷?。
重复精度：重复精度表示光刻机多次刻写同一芯片时的一致性。重复精度越高，每次刻写的芯片的特征尺寸和位置都相同，保证芯片的一致性。高重复精度的光刻机可以确保批量生产的一致性，提高产品质量?。
曝光光源功率：曝光光源功率表示光刻机所使用的曝光光源的强度。光源功率越高，光刻机的刻写速度越快，生产效率也更高。高功率的曝光光源可以提高光刻机的刻写速度，缩短制造周期?。
刻蚀深度控制精度：刻蚀深度控制精度表示光刻机所刻写的图形深度的控制精度。高刻蚀深度控制精度的光刻机可以制造更精细的芯片结构，提高芯片的可靠性和性能?。”俞章平继续说道。
“是不是解决了光刻机就能解决芯片的问题？”周老问道。
“主要是这样的！其他困难都比不上光刻机的难度！只要解决了光刻机其他都好解决！”俞章平说道。
“那就看你的了！不行，这不光是你的事情，是我们国家的事情！是我们民族的事情！我会再写报告递上去的！”周老说道。
“谢谢周老！要是能集全国全民族之力我相信只是时间问题，但周老，我有一个想法不知道当讲不当讲！”俞章平说道。
“你说就是！我们之间还需要说这个？”周老说道。
“连缃电脑您应该知道吧！”俞章平问道。
“知道啊！现在我们国内首屈一指的品牌呢！算是拿得出手的国有科技企业了！”周老说道。
“现在是国有，不过过不了多久就不姓国了，要改姓了！哎！”俞章平揶揄说道。
“嗯？怎么说？”周老问道。
“有人开始耍小心思了!要是任其发展下去的话，就会造成严重的国有资产流失了！”俞章平说道。
“嗯？现在连缃这么大的体量和发展前景，居然有人动心思？怕不是找死不成？”田广利说道。
“广利你别打岔，章平你继续说！最近我也听到了一些闲言碎语！”周老说道。
“周爷爷你都听到了风声了啊！”俞章平说道。
“你说你的！”周老说道。。
“那就要说起联缃的发展史了，早在1986年，溜总当上了连缃总经理之后，提出了一个“国有民营”的战略，之后也是言出法随，立马就把民营化摆上日程了。对了这个时候呢，身处北景的连缃还没有改名，还是叫计算所公司的，为了好区分一点，咱们就直接叫京城连缃了哈。溜总这个时候1988年，溜总找到了香港商人吕谭平，以他为主的港方导远公司，京城连缃，外加华夏技术转让公司，成立合资公司香港连缃，香港连缃成立以后，京城连缃和中技转公司两家国企共持股67%，港商持股33%，香港连缃的原始股本是90万港元，这三家公司不争不抢，各出30万港元。注意注意，这个中技转公司也是他们自己人，董事长是溜总的老爹，这关系亲的可不能再亲了。